iPhone 14 by mohl být vybaven pomalejšími a méně spolehlivými NAND flash pamětmi než předchozí generace iPhonů, přičemž Apple doufá, že uživatelé si rozdílu nevšimnou.

S využitím současné polovodičové krize jako ospravedlnění Apple již vybral čipy RAM LPDDR4X, a to v době, kdy většina konkurence v táboře Android používá LPDDR5 pouze pro špičkové telefony. Apple má totiž ve svém portfoliu řadu čipsetů s docela působivými výkony, které více než kompenzují pokles výkonu vyvolaný použitím poněkud pomalejších pamětí RAM. Ale pokud jde o vnitřní úložiště telefonu, každé malé zvýšení přístupových časů k informacím a přenosových rychlostí je vítáno, zvláště pokud plánujete svůj budoucí iPhone 14 používat s nejpokročilejšími mobilními hrami nebo pro natáčení ve 4K.

V chladném výpočtu výrobci PC SSD, kteří již přijali technologii QLC NAND pro vybavení svých vlastních úložných řešení, zjistili, že naprostá většina uživatelů nepřenese více než několik desítek GB najednou, takže pocítili drastický pokles výkon, ke kterému dochází po vyčerpání vyrovnávací paměti, přesně přidělený k maskování omezení technologie QLC. Stejně tak většina uživatelů nebude každý den přenášet desítky a stovky GB videoobsahu, takže zakoupený SSD selže v důsledku opotřebení buněk QLC NAND před vypršením 2-3leté záruky.

Stejně tak Apple neočekává, že by uživatelé iPhone 14 zaznamenali rozdíl mezi TLC a QLC NAND. Jediným detekovatelným „příznakem“ by mohl být výskyt limitu na HD/FHD nebo 4K dobu snímání, odpovídající době potřebné pro rychlejší zaplnění vyrovnávací paměti a přepnutí na přímý zápis do paměti QLC NAND. Co se týče „smrti“ iPhonů v důsledku opotřebení flash paměťového čipu instalovaného přímo na elektronické desce, již nyní můžeme odhadovat, že v drtivé většině případů se tento problém projeví až po nějaké době po uplynutí záruky období poskytované společností Apple. A protože výdrž paměťových řešení NAND souvisí s celkovou kapacitou úložiště, můžete se tomuto výsledku vyhnout zakoupením iPhonu 14 z variant s větší vnitřní pamětí.